IRFS3307,IRFS4228 场效应管

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  • 发布日期:2021-05-24 16:25
  • 有效期至:长期有效
  • 产品区域:广东深圳市
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详细说明
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详细参数:

不同 Id 时的 Vgs(th) 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 5150pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 180nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On 6.3 毫欧 @ 75A,10V
供应商器件封装 D2PAK
功率  250W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
漏源极电压(Vdss) 75V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 130A(Tc)
FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物


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