IRF1010EPBF 晶体管

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产品参数：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 84A（Tc）
驱动电压（-大 Rds On，-小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（-大值） 4V @ 250µA
Vgs 时的栅极电荷 (Qg)（-大值） 130nC @ 10V
Vgs（-大值） ±20V
Vds 时的输入电容 (Ciss)（-大值） 3210pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（-大值） 200W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（-大值） 12 毫欧 @ 50A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3