氧化镓靶材Ga2O3磁控溅射靶材

      氧化镓（Ga2O3）别名是三氧化二镓，是一种宽禁带半导体，Eg=4.9eV；不溶于水，微溶于热酸或碱溶液，易溶于碱金属氢氧化物和稀无机酸；有α，β两种变体，α型为白色菱形六面体，熔点：1900℃(在600℃时转化为β型)。用作高纯分析试剂、用于电子工业半导体材料制备。它是一种透明的氧化物半导体材料，在光电子器件方面有广阔的应用前景 ，被用作于Ga基半导体材料的绝缘层，以及紫外线滤光片。它还可以用作O2化学探测器。

中文名称：氧化镓

中文别名：三氧化二镓

英文名称：Gallium(Iii) Oxide (metals Basis) 

CAS号：12024-21-4

分子式：Ga2O3

分子量：189.46000

精确质量：187.85200

PSA：43.37000

外观与性状：白色靶材

密度：5.88g/cm3

熔点：1740ºC

折射率：1.92

稳定性：稳定。 与镁不相容。

储存条件：库房通风低温干燥

用作高纯分析试剂、用于电子工业半导体材料制备。 用作高纯分析试剂、半导体材料。